聚焦前沿技術(shù) 共話產(chǎn)業(yè)發(fā)展｜以創(chuàng)新驅(qū)動我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級

發(fā)布時(shí)間：

2025-04-23

概要：

  3月26-28日，SEMICON China 2025在上海新國際博覽中心隆重舉行，電科裝備以“爍科裝備，國芯基石”為主題參展。2所胡北辰博士在技術(shù)沙龍環(huán)節(jié)代表電科裝備作“大尺寸SiC襯底制備整線解決方案”的專題報(bào)告。

  報(bào)告指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點(diǎn)問題，2所以“裝備+工藝+服務(wù)”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學(xué)機(jī)械拋光、缺陷檢測等核心設(shè)備產(chǎn)品有機(jī)結(jié)合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長加工的整線智能制造解決方案。

  與傳統(tǒng)的材料加工自動化程度不高、重點(diǎn)依賴人力相比，該方案核心設(shè)備都具備高度自動化能力，且通過協(xié)作機(jī)器人在機(jī)臺間的物料傳輸，實(shí)現(xiàn)整線協(xié)同控制與柔性調(diào)度，減少設(shè)備等待時(shí)間，提高整體生產(chǎn)效率。同時(shí)，自動化生產(chǎn)流程能讓人為誤差降至最低，保障產(chǎn)品良率和一致性，配套的全流程數(shù)據(jù)記錄與分析也更利于工程師快速定位質(zhì)量問題根源，不斷改進(jìn)生產(chǎn)工藝。


  該方案通過晶體生長與加工多工藝協(xié)同優(yōu)化，可將8英寸單片切割時(shí)間由90分鐘縮短到25分鐘左右，單片加工損耗從220微米降低到80微米，助力客戶實(shí)現(xiàn)降本增效，提升產(chǎn)品競爭力。

  目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開展試驗(yàn)驗(yàn)證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。未來，電科裝備將不斷優(yōu)化該解決方案，堅(jiān)持創(chuàng)新驅(qū)動，以技術(shù)創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

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